مطالعه لایه های نازک شفاف و رسانای اکسید ایندیم و پنتاکسید وانادیم در حسگرهای گازی

لایه های نازک نانو ساختار پنتاکسید وانادیم و اکسید ایندیم به روش اسپری پایرولیزز لایه نشانی شدند. دمای زیر لایه برای فیلم های v2o5 بین 300 تا 500 و برای in2o3بین 400 تا 500 درجه سلسیوس تغییر داده شد. خواص ساختاری و مورفولوژیکی فیلم ها به وسیله ی آنالیز های xrd و semو afm مورد مطالعه قرار گرفت. حساسیت فیلم های تهیه شده با دماهای مختلف زیر لایه نسبت به بخار اتانول بررسی شد. تصاویر xrd نشان داد که فیلم های نهشته شده در کمترین دمای پایرولیز پیک های ضعیفی دارند اما با افزایش دما تا 500 درجه سلسیوس بلورینگی فیلم ها افزایش یافته است. آنالیز فرکتال یک گرایش به کاهش را نسبت به دمای پایرولیز نشان می دهد. دمای کار حسگر برای رسیدن به بهترین پاسخ حسگری بهینه شد. حساسیت به طور خطی با افزایش غلظت اتانول افزایش یافت. مشخص شد که فیلم های نهشته شده در پایین ترین دمای زیر لایه، بالاترین پاسخ حسگری را به اتانول داشته اند. تغییر مدت زمان رسوب نیز برای حسگر پنتاکسید وانادیوم مورد مطالعه قرار گرفت و نشان داد که کم بودن مدت زمان لایه نشانی عامل مناسبی برای حسگری بوده است.